Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

Zusatztext

Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.

Autorenportrait

Norman Böttcher forscht als Halbleitertechnologe am Fraunhofer IISB an der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente für die Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit (ultra-) großer Bandlücke

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