Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

Zusatztext

<p>Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstausl&ouml;senden &Uuml;berstromschutzschalters f&uuml;r 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Ausl&ouml;sestromwertes selbstst&auml;ndig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand &uuml;berzugehen und diesen zu halten.</p>

Autorenportrait

<p>Norman Böttcher forscht als Halbleitertechnologe am Fraunhofer IISB an der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente für die Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit (ultra-) großer Bandlücke</p>

Weitere Details