Adsorción e Incorporación de Átomos de Cu en la Superficie (0001)GaN

Zusatztext

En este trabajo se llevan a cabo cálculos ab-initio para estudiar la adsorción e incorporación de átomos de cobre (Cu) en la superficie de Nitruro de Galio, (0001)GaN y en las capas más profundas de un slab de GaN, con la geometría 2×2. Se emplea el método del seudopotencial-ondas planas dentro del marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT). Se describe la interacción electrón-electrón mediante la aproximación de gradiente generalizado(GGA).

Autorenportrait

Nació en Marzo de 1982 en Montería-Córdoba-Colombia.Realizó estudios de pregrado y maestría en Física en la Universidad de Córdoba (Colombia). Actualmente realiza estudios de doctorado en la Universidad de Sucre (Colombia) en el área de Óptica Cuántica de Semiconductores.

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