Dünne Schichten aus dotiertem TCO für PN-Übergangsan-wendungen

Zusatztext

Transparente leitfähige Oxide (TCO), die optische Transparenz mit elektrischer Leitfähigkeit verbinden, sind für die Dünnschicht-Photovoltaik-Technologien von entscheidender Bedeutung. Diese Arbeit untersucht die Synthese von undotierten und dotierten (Li, V, Gd) ZnO-Dünnschichten durch chemische Sprühpyrolyse, um sie in PN-Übergänge zu integrieren. Die Atomsonden-Tomographie (APT) zeigt eine homogene Verteilung von Li. Raman-, FTIR-, SEM-, EDX- und XPS-Analysen bestätigen die Struktur und Zusammensetzung der Schichten. Die mit Vanadium dotierten Schichten weisen eine Wurtzitstruktur, eine gute Transparenz (400-1200 nm), eine Bandlücke von 3,18-3,26 eV und eine verbesserte Mikrohärte auf. Die Dotierung mit Gadolinium verändert die Morphologie und erhält eine optische Transmission von 60-80 % bei einem Bandabstand von 3,24-3,26 eV. Schließlich weisen die hergestellten n-ZnO/p-Si-Heteroübergänge eine vielversprechende Leistung auf, die das Interesse an den Schichten für photovoltaische und optoelektronische Anwendungen bestätigt.

Weitere Details